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Résultats
IXYS
IXEN60N120D1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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IXFH14N100Q2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 14A I(D), 1000V, 0.95OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247AD
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IXYS
IXFH16N90Q
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 16A I(D), 900V, 0.65OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247-3
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IXFH26N50Q
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 26A I(D), 500V, 0.2OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247AD
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IXYS
IXFH26N60Q
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N CHANNEL, 600V, 26A
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